AO4485-ASEMI高耐压低损耗开关器件

编辑：David

AO4485-ASEMI高耐压低损耗开关器件

央视财经功率半导体行业报道指出，24V 锂电、工业辅助电源、台式外设供电回路，对 P 沟道 MOS 的耐压余量、导通损耗提出更高标准。普通‑30V 等级 P‑MOS 面对 24V 系统感性尖峰容易出现击穿风险，AO4485 作为 SOIC‑8 经典沟槽 P 沟道器件，‑40V 耐压搭配超低导通内阻，广泛用于高边电源控制、负载切换与电池保护电路。

 

 

AO4485-ASEMI产品参数

型号：AO4485

沟道：NPN

品牌：ASEMI

封装：SOP-8

批号：最新

导通内阻：19mΩ

漏源电流：-13A

漏源电压：-40V

引脚数量：8

特性：P沟道MOS管

工作温度：-55℃~150℃

 

 

AO4485-ASEMI核心优势

1. 超低导通内阻：典型 15mΩ@‑10V 驱动，大电流工况下导通损耗小，有效降低整机温升，适合长时间连续带载。

2. ‑40V 宽裕耐压，适配 24V 电池系统，能够抵御关断感性电动势、电压浪涌，降低器件击穿失效概率。

3. 高低驱动兼容，‑4.5V 即可实现低内阻导通，既可以传统‑10V 驱动，也适配部分逻辑电平驱动场景，拓展电路设计自由度。

4. 雪崩耐受性能，器件经过 UIS 单脉冲雪崩测试，面对负载突变、短路瞬时冲击具备更好的抗扰能力。

5. 标准 SOP‑8 通用封装，PCB 兼容性强，替换改板成本低，物料采购选型便捷。

 

 

AO4485-ASEMI核心应用场景:

1、2-6串24V锂电设备高边电源开关、电池防反接、充放电保护回路

2、工业控制板、外设模块负载切换，DC‑DC 电源副边功率开关

3、台式周边、一体机附属供电回路，PWM 功率调制电路

4、负向电源管理、小功率继电器替代开关电路

AO4485-ASEMI工程师选型建议

1.实际持续工作电流建议按额定 50%‑70% 做降额设计，高温环境进一步留足余量。

2. P沟道用于高边驱动时，重点保证栅‑源负压差值，避免驱动不足造成 MOS 不完全导通，异常发热。

3. 感性负载务必增加 RC 吸收或者续流二极管，抑制关断电压尖峰，保护器件。

4. 替代兼容时，核对封装、耐压、Rds (on) 以及栅极阈值，确认主控驱动电平匹配。

AO4485-ASEMI全文小结

AO4485 凭借‑40V 耐压、10A 电流、毫欧级导通内阻，是 24V 系统下性能均衡的 P 沟道功率开关。工业 IO 板、便携储能辅助回路的实测可以看出，合理做好降额与尖峰吸收，能够充分发挥器件耐压与低损耗优势，保障电源系统长期稳定运行。