AO4407-ASEMI小封装低内阻首选AO4407

编辑：David

AO4407-ASEMI小封装低内阻首选AO4407

央视财经功率半导体行业调研显示，锂电便携设备、板载电源管理模块对小封装 P 沟道 MOS 需求持续走高。高边电源控制、电池保护、防反接电路中，P沟道MOS 可以简化驱动外围电路，但很多 SOP‑8封装 P 沟道器件导通电阻偏大，中等电流工况发热突出。

 

 

AO4407-ASEMI参数

型号：AO4407

品牌：ASEMI

沟道：PNP

封装：SOP-8

漏源电流Id：-12A

漏源电压（Vds）：-30V

导通内阻RDS(on):14mΩ

批号：最新

引脚数量：8

特性：P沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

 

AO4407-ASEMI核心技术优势

1. SOP-8小封装，实现超低导通内阻

在标准 SOP-8贴片封装内做到典型 14mΩ 导通电阻，相比同封装普通 P 沟道 MOS，导通损耗大幅降低，中等电流运行条件下温升表现更优，适配 PCB 空间紧张的卡板设计。

2. -30V耐压，适配多串锂电系统

耐压规格覆盖 2‑4 串锂电应用，可承受继电器、小型线圈关断带来的电压尖峰，满足 5‑24V 设备电池开关、防反接保护的耐压需求。

3. 沟槽工艺，开关特性均衡

优化栅极电荷参数，兼顾导通损耗与开关速度，既适合静态电池通路开关，也可用于中低频 PWM 负载控制，器件经过 UIS 雪崩测试，抗浪涌能力可靠。

 

 

AO4407-ASEMI实测案例

某智能储能外设控制板，前期使用普通 SOP‑8 P 沟道 MOS，8A 持续工作时器件温度偏高。更换 AO4407 之后，同等负载条件下器件温升下降 8℃，经过‑20℃~+70℃高低温循环 72 小时老化测试，电源通断动作稳定，无漏电、误关断现象。

AO4407-ASEMI核心应用场景

1、锂电设备保护板高边开关、电池充放电控制回路

2、工控板、智能硬件电源防反接保护电路

3、笔记本外设、适配器辅助电源负载开关

4、小型直流电机高边控制、继电器驱动电源通路

AO4407-ASEMI选型核心总结

AO4407是-30V/-12A 经典 SOP-8，P沟道 MOS，小体积、低导通内阻，非常适合锂电保护、负载开关、防反接等电源管理电路。设计时充分考虑 SOP-8 封装散热局限，做好电压电流降额，优化栅极驱动与 PCB 铺铜，可充分发挥器件性能，是空间受限中小功率高边控制方案的成熟选型。