50N03-ASEMI中低压大功率硬核主力器件50N03

编辑:David

50N03-ASEMI中低压大功率硬核主力器件50N03

50N03-ASEMI中低压MOS管产品特性

50A越级大电流,单管替代多管并联

对比30N03常规30A载流规格,50N03载流能力大幅跃升,单颗器件可稳定承载50A持续大电流。大功率储能、大电流电机驱动场景无需两颗及以上MOS并联分流,大幅精简PCB布局,减少BOM物料数量与SMT贴装成本,彻底解决多管并联电流不均、局部过热的隐患,助力设备小型化、高功率密度设计。

10mΩ极致低内阻,满载低温高效节能

采用新一代精细化沟槽工艺,导通内阻低至10mΩ,属于同耐压等级第一梯队低损耗器件。面对长时间满载、大电流持续导通工况,功率损耗极低,器件温升平缓,杜绝高温降流、发烫烧毁问题。无需搭配超大散热片,简化整机散热结构,显著提升电源转换效率,有效延长电池与整机设备使用寿命。

30V充足耐压+强抗冲击,复杂工况高容错

针对24V工控系统、直流电机感性负载、快充脉冲电路、瞬时反向电动势等严苛场景,30V耐压提供充足安全余量。搭配强化雪崩耐受能力,可有效抵御电压尖峰、静电冲击与瞬时过流,击穿风险极低,工况容错率远超20V耐压MOS,适配工业级长期连续运行场景。

高低频通用,驱动简易适配性广

低压阈值设计适配常规3.3V/5V主控直驱,无需额外电平转换、驱动放大电路,外围线路极简,降低研发调试难度与量产成本。均衡的开关特性,既适合储能电源总开关长期稳态导通,也适配高频PWM电机调速、大功率LED调光、DC-DC同步整流等动态控制场景,通用性拉满。

50N03-ASEMI产品参数

型号:50N03

沟道:NPN

品牌:ASEMI

封装:TO-252

批号:最新

导通内阻:10mΩ

漏源电流:50A

漏源电压:30V

引脚数量:3

特性:N沟道MOS

工作温度:-55~150

50N03-ASEMI产品应用领域

大容量储能设备:

户外大功率储能电源、大容量移动电源、24V车载充放电模块、多口大功率PD快充主回路;

大功率动力驱动:

大功率电动工具、电动滑板车/代步车主驱动、工业直流水泵、大型风机、扫地机大功率H桥驱动;

大功率照明家电:

工业级大功率LED灯带、低压直流大功率逆变器、直流变频大功率小家电;

工业工控设备:

24V工控大功率负载开关、自动化执行机构、锂电池BMS保护系统、大功率传感供电模块。

50N03-ASEMI

50N03-ASEMI-1

50N03-ASEMI-2

 

posted @ 2026-06-27 11:49  ASEMI首芯  阅读(3)  评论(0)    收藏  举报