5N10-ASEMI低压板级高压余量首选5N10

编辑：David

5N10-ASEMI中低压MOS管产品特性

1、100V高耐压，抗尖峰不击穿

额定漏源电压VDS=100V，相比30V、60V低压MOS拥有数倍电压余量，可轻松抵御电机、继电器、线圈等感性负载产生的反向电动势和开关尖峰，从根源杜绝突发炸管、烧板故障，大幅提升设备运行稳定性，尤其适配工业波动电网环境。

2、5A超大持续电流，带载能力翻倍

连续漏极电流高达5A，远超同封装3N10等常规高压MOS，单管即可满足中小功率负载需求，无需多颗MOS并联，精简BOM成本、简化PCB布线，避免并联不均温、分流失衡的隐患。同时超强脉冲耐流能力，可轻松应对设备开机浪涌、瞬间峰值负载，抗冲击性能拉满。

3、低压驱动适配，低阻低耗少发热

支持4.5V低压全开驱动，完美兼容STM32、单片机、树莓派等3.3V/5V逻辑控制系统，无需额外分压、升压驱动电路，大幅降低研发难度。优化工艺加持下导通电阻极低，导通损耗小，长时间满载工作温升可控，密闭设备无需额外散热结构，适配紧凑型产品设计。

4、高频开关稳定，待机功耗极低

器件寄生电容小、开关速度快、开关损耗低，适配PWM调光、DC-DC升降压、高频逆变等场景，工作高效无拖尾。截止态漏电流微乎其微，设备待机功耗大幅降低，有效延长锂电设备续航。同时支持-55℃~+150℃超宽温稳定工作，高低温、潮湿、震动工况下参数不漂移，适配各类复杂严苛环境。

产品参数

型号：5N10

沟道：NPN

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

批号：最新

导通内阻：125mΩ

漏源电流：5A

漏源电压：100V

引脚数量：3

特性：N沟道MOS管

工作温度：-55℃~150℃

产品应用领域

1、工控与驱动设备：24V/48V小型直流电机驱动、水泵风扇控制板、继电器开关、工控模块负载切换，从容应对感性负载冲击。

2、照明电源系统：高压LED恒流驱动、户外路灯电源、大功率灯带控制器、隔离降压开关电路，高频工作稳定无频闪、低温升。

3、储能与充电设备：锂电池升压模块、小型逆变电路、户外储能电源、高压充电保护开关，耐压充足，杜绝高压击穿风险。

4、家电与车载电子：小家电主控开关、12V/24V车载高压控制模块、安防设备电源管理、便携式检测仪器，长期运行稳定可靠、返修率极低。