SI2301S-ASEMI小功率电源控制性价比标杆SI2301S

编辑:David

SI2301S-ASEMI小功率电源控制性价比标杆SI2301S

型号:SI2301S

沟道:PNP

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

批号:最新

导通内阻:112mΩ

漏源电流:-2.3A

漏源电压:-20V

引脚数量:3

特性:P沟道MOS

工作温度:-55~150

产品特性

消费电子轻薄化、小家电精细化、便携设备低功耗化的当下,中低压电源控制、电池保护、负载开关电路对MOS管的要求愈发严苛。工程师选型不再只看基础参数,更追求更低损耗、更快响应、更高稳定性、更优一致性的综合表现。作为SI2301迭代升级款,SI2301S中低压P沟道MOS管,依托优化半导体工艺,补齐常规款性能短板,参数更精准、工况适配更稳定,成为20V以内中小功率电路设计的升级首选器件。

微型封装百搭,适配全场景轻量化设计。SI2301S采用标准SOT-23贴片封装,体积小巧、焊接适配性强,兼容主流贴片工艺与自动化生产,不占用PCB多余空间,精准适配智能穿戴、蓝牙耳机、移动电源、小型适配器、车载小电器、智能灯具等空间受限的轻薄化产品。器件最大耗散功率1.4W,热稳定性优异,长期高频工作不易老化、不易烧坏,使用寿命更长,从器件层面降低设备售后故障率,为产品量产提质降本。

SI2301S-ASEMI

SI2301S-ASEMI-1

SI2301S-ASEMI-2

 

posted @ 2026-06-17 13:40  ASEMI首芯  阅读(5)  评论(0)    收藏  举报