65R031-ASEMI超结MOS管TO-247封装

编辑：LL

65R031-ASEMI超结MOS管TO-247封装

型号：65R031

品牌：ASEMI

沟道：NPN

封装：TO-247

漏源电流：100A

漏源电压：650V

RDS(on):31mΩ

批号：最新

引脚数量：3

封装尺寸：如图

特性：N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

超低导通损耗：典型导通电阻仅 27mΩ（VGS=10V，ID=28A），较传统 VDMOS 降低 70% 以上，在 89A 连续 drain 电流下仍保持高效传导，为大功率设备节能提供核心支撑；​

极致品质因子：RDS (ON)×Qg 的乘积（品质因子）达到行业顶尖水平，搭配 182ns 的反向恢复时间与 1.66nC 的反向恢复电荷，开关损耗较同类产品降低 15%-20%，轻松适配高频谐振拓扑；​

强悍环境适应：-55℃~150℃宽温工作范围，650V 耐压设计 +±30V 栅源电压耐受，配合 100% 雪崩测试认证（单脉冲雪崩能量 414mJ），在工业强干扰、电压浪涌等极端场景中稳如磐石；​

高效散热架构：TO-247 封装搭配 0.25℃/W 的结壳热阻，500W 最大耗散功率，让器件在高负荷运行时仍能有效控温，减少散热器体积占比。​

全场景赋能，从家电到工业的效率升级​

65R031 的应用版图，早已覆盖我们生活与生产的核心场景：​

消费电子领域：在 TV 电源、LED 照明驱动中，低损耗特性让产品待机功耗降至毫瓦级，符合全球能效标准；​

工业电源场景：SMPS 开关电源、AC-DC 转换器中，高频低耗优势使电源模块功率密度提升 30%，机身更紧凑；​

通信与新能源： Telecom 基站供电、便携式充电机中，89A 大电流承载 + 抗雪崩能力，保障设备 24 小时连续稳定运行，故障率降低 50% 以上。