65R280-ASEMI超结MOS管TO-252封装

编辑：LL

65R280-ASEMI超结MOS管TO-252封装

型号：65R280

品牌：ASEMI

沟道：PNP

封装：TO-252

漏源电流：15A

漏源电压：650V

RDS(on):280mΩ

批号：最新

引脚数量：3

封装尺寸：如图

特性：N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

65R280 超结 MOS 的横空出世，凭借突破性的超结技术，让 “鱼和熊掌兼得” 成为现实 ——650V 高压耐受与低至 0.24Ω 的导通电阻（典型值）完美平衡，彻底打破了困扰行业数十年的 “硅极限”。​

硬核参数背书，每一项都为极致性能而生​

作为高压功率 MOSFET 的标杆产品，65R280 的性能优势源于对细节的极致打磨：​

超低损耗架构：采用先进多层外延工艺与 P/N 交替柱结构，实现 0.24Ω（VGS=10V）的典型导通电阻，搭配低至 23nC 的栅极电荷（Qg），让导通损耗与开关损耗双重降低，功率转换效率显著提升 1-2 个百分点；​

强悍环境适应：支持 ±30V 宽栅源电压，-55℃~150℃宽温工作范围，可从容应对工业级恶劣工况；100% 雪崩能量测试认证，单脉冲雪崩能量最高达 290mJ，瞬态抗冲击能力远超行业平均水平；​

高功率密度设计：TO-252/TO-220F/TO-263 等多封装可选，其中 TO-263 封装的结到壳热阻低至 0.85℃/W，散热效率大幅提升，配合 14-15A 连续漏极电流、56A 峰值脉冲电流，轻松满足高密度电源设计需求；​

环保与兼容性：完全符合 RoHS 环保标准，无铅管脚镀层适配无铅工艺，优异的 dv/dt 耐受能力（最高 100V/ns）让 EMI 余量更充足，适配硬 / 软开关拓扑多种应用场景。​

全场景赋能，驱动多行业能效升级​

从消费电子到新能源领域，65R280 以其全能表现成为功率转换的核心选择：​

电源供应领域：在高效率开关电源、服务器电源、PC 电源中，低损耗特性让设备待机功耗大幅降低，助力产品通过更高能效等级认证；​

工业与新能源：功率因数校正（PFC）电路、光伏逆变器、UPS 不间断电源中，高耐压与高可靠性确保系统长期稳定运行，减少维护成本；​

消费与照明：LED 驱动电源、电子整流器中，小体积封装与低发热设计，让终端产品更轻薄便携，同时延长使用寿命；​

新兴领域：新能源汽车充电器、 telecom 电源中，高功率密度与宽温适应能力，完美匹配严苛的车载与通信场景需求。