BAT54C-ASEMI可直接替代安世BAT54C

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BAT54C-ASEMI可直接替代安世BAT54C

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：BAT54C

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

特性：肖特基二极管

正向电流：0.2A

反向耐压：30V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：120A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

备受欢迎的BAT54C-ASEM肖特基二极管

ASEMI品牌BAT54C是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了BAT54C的漏源电流0.2A，漏源击穿电压30V.

BAT54C，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

BAT54C具体参数为：正向电流：0.2A，反向耐压：30V，反向恢复时间： 35ns，封装：SOT-23

核心优势：三大亮点，重塑电路能效边界​

超低正向压降，功耗 “瘦身” 利器：BAT54C 采用先进的肖特基势垒工艺，正向压降低至 0.32V（典型值），相比传统硅二极管，能大幅减少导通损耗。在电池供电设备中，这意味着更长的续航时间 —— 比如智能手表的电源管理模块、蓝牙耳机的充电回路，BAT54C 能让每一分电量都用在刀刃上，助力设备突破续航瓶颈。​

高频响应快，信号传输 “无延迟”：凭借独特的结构设计，BAT54C 的反向恢复时间仅为几纳秒，几乎可以忽略不计。这一特性使其在高频开关电源、射频电路、高速数据接口中表现卓越，既能保证信号传输的完整性，又能降低电路的开关损耗，让设备运行更流畅、发热更少。​

小体积高集成，空间利用 “最大化”：BAT54C 采用 SOT-23 封装，体积小巧紧凑，占位面积仅 2.9mm×1.3mm，非常适合高密度 PCB 设计。无论是轻薄的智能手机、微型传感器，还是空间受限的工业控制模块，它都能轻松嵌入，为产品小型化、便携化提供更多设计空间。