SBDAF40V5-ASEMI可直接替代安世PMEG4050EP

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SBDAF40V5-ASEMI可直接替代安世PMEG4050EP

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：SBDAF40V5

品牌：ASEMI

封装：SMAF

特性：肖特基二极管

正向电流：5A

反向耐压：40V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：120A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

备受欢迎的SBDAF40V5-ASEM肖特基二极管

ASEMI品牌SBDAF40V5是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SBDAF40V5的漏源电流5A，漏源击穿电压40V.

SBDAF40V5，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

SBDAF40V5具体参数为：正向电流：5A，反向耐压：40V，反向恢复时间： 35ns，封装：SMAF

在电子设备追求极致效率与速度的今天，SBDAF40V5肖特基二极管凭借其独特优势，成为电路设计中的关键元件。它采用金属-半导体结结构，显著降低正向压降（VF），确保能量损耗最小化，同时实现超高速开关响应，特别适合高频应用场景。其低导通特性大幅提升系统能效，尤其在电源管理和信号处理中表现卓越，为现代电子设备提供可靠支持。

然而，肖特基二极管的反向电流（IR）较大，需在选型时权衡电压与电流需求。SBDAF40V5通过优化设计，在高温环境下仍保持稳定性能，有效避免热失控风险，扩展了其应用范围。无论是开关电源的整流、高速逻辑电路的箝位，还是通信设备的检波，它都能以高效可靠的方式提升整体系统表现。

选择SBDAF40V5，不仅是选择一款元件，更是为您的电路注入高效与速度的革新力量。让它在您的设计中，成为提升性能的隐形守护者。