SBD3DH30V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010BEA

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SBD3DH30V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010BEA

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：SBD3DH30V1H

品牌：ASEMI

封装：SOD-323

特性：肖特基二极管

正向电流：1A

反向耐压：30V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：125A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

备受欢迎的SBD3DH30V1H-ASEM肖特基二极管

ASEMI品牌SBD3DH30V1H是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SBD3DH30V1H的漏源电流1A，漏源击穿电压30V.

SBD3DH30V1H，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

SBD3DH30V1H具体参数为：正向电流：1A，反向耐压：20V，反向恢复时间： 35ns，封装：SOD-323

SBD3DH30V1H的广泛适用性源于其多面能力：

‌消费电子‌：在智能手机和笔记本电脑中，作为高频整流器优化电池续航，同时支持快速充电技术。

‌工业自动化‌：用于电机驱动和逆变器，其快速开关特性减少能量损耗，提升整体系统效率。

‌通信设备‌：在射频电路中作为检波器和混频器，确保信号处理的高保真度和低延迟。

无论是紧凑的便携设备还是严苛的工业环境，SBD3DH30V1H都能以稳定表现应对挑战。‌

典型应用场景

‌电源管理‌：DC-DC转换器中的整流模块，通过低导通损耗提升整体能效‌。

‌高频电路‌：射频信号检波与高速数字逻辑开关，利用快速响应减少延迟。

‌保护电路‌：极性反接防护与储能系统续流，防止浪涌损坏核心元件