SBD1DF100V2H-ASEMI可直接替代安世PMEG10020AELR-QX

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SBD1DF100V2H-ASEMI可直接替代安世PMEG10020AELR-QX

型号：SBD1DF100V2H

品牌：ASEMI

封装：SOD-123FL

正向电流：2A

反向电压：100V

正向压降：0.44V~0.47V

引线数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

漏电流：10ua

恢复时间：35ns

浪涌电流：200A

芯片材质：

正向电压：1.10V

封装尺寸：如图

特性：小家电专用二极管

工作结温：-50℃~150℃

包装方式：500/管；5000/箱

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

在电子设备日益追求高效节能的今天，电源管理元件的性能直接决定了整机的能效与可靠性。SBD1DF100V2H肖特基二极管凭借其独特的金属-半导体结设计，以超低正向压降（低至0.4V）和极速开关特性（反向恢复时间仅10-40ns），成为高频开关电源、低压大电流整流场景的理想选择。其核心优势在于通过减少导通损耗和瞬间切换延迟，显著提升系统效率，尤其适配于5G基站、数据中心电源及新能源逆变器等对响应速度要求严苛的领域。

技术革新：精准解决行业痛点

传统二极管因PN结结构导致的高压降和恢复损耗，在快节奏电子应用中逐渐显露出局限性。SBD1DF100V2H采用贵金属与N型半导体结合的肖特基势垒技术，避免了空穴载流子的拖尾效应，实现近乎理想的开关性能。例如，在户外电源的逆变模块中，该器件可大幅降低热损耗，确保设备在高原或高温环境下稳定运行，延长电池续航时间。这种设计不仅优化了能效比，还为紧凑型设备腾出了散热空间，推动产品向轻薄化发展。

B5819WS-ASEMI肖特基二极管的电性参数：正向电流1A；反向电压40V

B5819WS肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。