SBD1DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010EGW

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SBD1DF40V1H-ASEMI可直接替代安世PMEG3010EGW

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：SBD1DF40V1H

品牌：ASEMI

封装：SOD-123FL

特性：肖特基二极管

正向电流：1A

反向耐压：40V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：125A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

备受欢迎的SBD1DF40V1H-ASEM肖特基二极管

ASEMI品牌SBD1DF40V1H是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SBD1DF40V1H的漏源电流1A，漏源击穿电压40V.

SBD1DF40V1H，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

SBD1DF40V1H具体参数为：正向电流：1A，反向耐压：40V，反向恢复时间： 35ns，封装：SOD-123FL

在电子设备追求极致能效与高频响应的今天，肖特基二极管凭借其独特的金属-半导体结结构，成为低压大电流场景下的理想选择。SBD1DF40V1H作为40V耐压肖特基二极管的代表型号，以低正向压降、超快开关速度及卓越的耐温性能，重新定义了高频整流与电源管理的能效标准。

核心技术：金属-半导体结的能效突破

与传统PN结二极管相比，SBD1DF40V1H采用钼或铝等金属与N型半导体形成肖特基势垒，显著降低正向导通压降（典型值0.3V），减少能量损耗的同时提升电源效率。其反向恢复时间仅为势垒电容充放电时间，彻底消除电荷储存效应，使得开关速度远超普通二极管，轻松应对微波级高频应用。此外，40V反向耐压设计兼顾了低压场景的安全性与稳定性，避免因电压波动导致的器件失效