B5819WT 0.35A-ASEMI可直接替代安世PMEG4002EB
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B5819WT 0.35A-ASEMI可直接替代安世PMEG4002EB
ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件
型号:B5819WT 0.35A
品牌:ASEMI
封装:SOD-523
特性:肖特基二极管
正向电流:0.35A
反向耐压:40V
恢复时间:35ns
引脚数量:2
芯片个数:1
芯片尺寸:MIL
浪涌电流:125A
漏电流:10ua
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:500/盘;5000/箱
备受欢迎的B5819WT 0.35A-ASEM肖特基二极管
ASEMI品牌B5819WT 0.35A是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了B5819WT 0.35A的漏源电流0.35A,漏源击穿电压40V.
B5819WT 0.35A,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
B5819WT 0.35A具体参数为:正向电流:0.35A,反向耐压:40V,反向恢复时间: 35ns,封装:SOD-523
B5819WT采用SOD-523封装,体积小巧却蕴含强大性能。其正向压降低至0.45V(额定电流),显著减少电路能耗,特别适合电池供电设备;反向恢复时间极短,确保高频信号处理的稳定性。这些特性使其成为电源管理、信号检测等场景的理想选择。
典型应用场景
开关电源:作为续流二极管,有效抑制电压尖峰,提升转换效率。
便携设备:低功耗设计延长电池续航,适用于智能手机、可穿戴设备等。
工业控制:快速响应特性保障高频电路稳定运行,减少信号失真




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