B5817WS-ASEMI可直接替代安世PMEG2005AEA

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B5817WS-ASEMI可直接替代安世PMEG2005AEA

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：B5817WS

品牌：ASEMI

封装：SOD-123

特性：肖特基二极管

正向电流：1A

反向耐压：20V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：125A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

备受欢迎的B5817WS-ASEM肖特基二极管

ASEMI品牌B5817WS是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了B5817WS的漏源电流1A，漏源击穿电压20V.

B5817WS，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

B5817WS具体参数为：正向电流：1A，反向耐压：20V，反向恢复时间： 35ns，封装：SOD-123

在电子设备微型化与高效化趋势下，B5817WS肖特基二极管凭借其独特性能成为电路设计的优选方案。这款SOD-323封贴片器件以20V反向电压和1A正向电流为核心参数，专为低功耗、高频场景优化，显著提升电源管理效率‌。其金属-半导体结结构实现仅0.5V的超低正向压降，较传统二极管降低30%以上能耗，有效减少发热并延长设备寿命‌

典型应用场景

‌电源管理‌：DC-DC转换器中的整流模块，通过低导通损耗提升整体能效‌。

‌高频电路‌：射频信号检波与高速数字逻辑开关，利用快速响应减少延迟。

‌保护电路‌：极性反接防护与储能系统续流，防止浪涌损坏核心元件