B5817W-ASEMI可直接替换安世PMEG2005EH

编辑：ll

B5817W-ASEMI可直接替换安世PMEG2005EH

ASEMI首芯半导体可替代安氏半导体功率器件

型号：B5817W

品牌：ASEMI

封装：SOD-123

特性：肖特基二极管

正向电流：1A

反向耐压：20V

恢复时间：35ns

引脚数量：2

芯片个数：1

芯片尺寸：MIL

浪涌电流：125A

漏电流：10ua

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：500/盘；5000/箱

探索B5817W-ASEMI肖特基二极管的卓越性能与广泛应用

在现代电子工程领域，肖特基二极管以其独特的金属-半导体接触结构，成为低功耗、高效率电路设计的首选元件。B5817W-ASEMI作为一款经典肖特基二极管型号，凭借其出色的电气特性和可靠性，在众多应用场景中展现出不可替代的价值。‌

核心优势：低功耗与高速响应的完美结合

B5817W-ASEMI肖特基采用SOD-123封装，体积小巧却蕴含强大性能。其正向压降低至0.45V，显著降低电路能耗，特别适合电池供电设备；反向恢复时间极短，确保高频信号处理的稳定性。‌这些特性使其成为电源管理、信号检测等场景的理想选择。

关键参数解析

‌电压规格‌：20V反向峰值电压，满足多数低压电路需求

‌电流能力‌：1A平均整流电流，9A浪涌电流承受力

‌温度范围‌：-50℃至+150℃宽温工作，适应严苛环境

‌封装特性‌：SOD-123贴片设计，节省PCB空间

典型应用场景

‌电源保护电路‌：作为续流二极管，有效抑制电压尖峰

‌高频整流‌：在开关电源中实现高效能量转换

‌极性保护‌：防止反接电流损坏敏感元件

‌逻辑电路‌：利用快速开关特性提升信号完整性

选型指南

对比同系列产品，B5817W在保持20V耐压的同时，以更低的导通损耗脱颖而出。其SOD-123封装便于自动化贴片生产，特别适合空间受限的便携式设备设计。

设计建议

避免长期工作在最大额定参数下，留出20%设计余量

注意散热设计，确保在高温环境下稳定运行

对于高频应用，建议搭配适当滤波电路