16N60-ASEMI电源管理专用16N60

编辑:LL

16N60-ASEMI电源管理专用16N60

型号:16N60

品牌:ASEMI

封装:TO-220

RDS(on):0.17Ω

批号:最新

引脚数量:3

封装尺寸:如图

特性:N沟道MOS

工作结温-55℃~150

16N60作为N沟道高压MOS管,采用TO-220封装,具备以下优势:

高耐压与低导通损耗

漏极-源极击穿电压达600V,支持高压场景稳定运行;

静态漏极源导通电阻(RDS(ON))低至0.17Ω(典型值),有效减少导通损耗,提升能效。

大电流承载能力

最大漏源电流(Io)为16A,峰值脉冲电流(ISM)可达48A,适用于高功率设备;

二极管正向电压(VSD)仅1.2V,反向恢复时间短,优化开关性能。

宽温适应性

工作温度覆盖-55℃150℃,适应严苛环境。

二、应用场景

16N60凭借其性能优势,广泛应用于以下领域:

电源模块:适配开关电源、电源适配器等高效率转换需求;

工业控制:用于电机驱动、自动化设备电源开关等高可靠性场景;

新能源领域:支持太阳能逆变器、电动车充电器的直流-交流转换;

照明系统LED驱动电路中实现稳定电流输出,延长设备寿命。

三、设计与工艺优势

封装与结构TO-220封装设计兼顾散热与紧凑性,引脚间距2.54mm,便于PCB布局;

工艺技术:采用先进芯片制造工艺,增强抗冲击能力与长期稳定性;

环保兼容性:符合RoHS标准,满足绿色电子制造需求。

四、竞品对比与市场定位

相比同类MOS管,16N60600V耐压与低导通电阻之间实现了更优平衡,特别适合对成本敏感且需兼顾效率的中高压应用场景。其高性价比和可靠性使其成为电源设计工程师的优选方案。

总结16N60 MOS管通过高压耐受、低损耗特性及广泛适用性,为工业、新能源和消费电子领域提供了兼具性能与成本的解决方案,助力设备高效稳定运行

 

posted @ 2025-06-05 14:34  ASEMI首芯  阅读(28)  评论(0)    收藏  举报