8N60-ASEMI电源AI器件专用8N60

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8N60-ASEMI电源AI器件专用8N60

型号：8N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：8A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：1.20Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

8N60系列MOS管是专为高压、中高功率场景设计的N沟道场效应晶体管，涵盖‌TO-220‌、‌TO-220F‌、‌TO-251‌等多种封装形式，具备优异的耐压性能与电气稳定性，适用于工业电源、新能源系统及消费电子领域‌。其核心参数包括：

‌漏源电压（VDS）‌：600V-650V，适配高压环境需求‌；

‌漏极电流（ID）‌：7A-10A，满足多样化功率场景‌；

‌导通电阻（RDS(on)）‌：低至0.98Ω（@VGS=10V），显著降低导通损耗‌；

‌栅源电压（VGS）‌：±30V，兼容主流驱动电路设计‌。

二、技术亮点

‌高效能设计‌
采用‌Plannar/SJ_Multi-EPI技术‌，优化开关速度与导通电阻，支持高频开关应用（如PWM电机控制、DC-DC转换器）‌。

‌高可靠性保障‌

‌雪崩能量测试‌：支持高能脉冲负载，确保极端工况下的稳定性‌；

‌宽温度范围‌：工作温度覆盖-55℃至+150℃，适应严苛环境‌。

‌快速切换性能‌
超低栅极电荷（29nC）与反向传输电容（11.5pF），缩短开关延迟（tr/tf≤70ns），提升系统响应效率‌。

‌工业电源与电机控制‌
在工业电源模块中，8N60系列精准调控电流分配，保障设备长期稳定运行‌；

‌新能源系统‌

‌光伏逆变器‌：实现DC-AC高效转换，降低能量损耗‌；

‌电动车充电桩‌：支持快速充电管理与高耐压需求，提升安全性与效率‌。

‌消费电子与UPS‌
适配LED驱动、电源适配器等场景，紧凑封装满足多样化设计需求‌。