20N50-ASEMI电机驱动专用20N50

编辑：ll

20N50-ASEMI电机驱动专用20N50

型号：20N50

品牌：ASEMI

封装：TO-247

批号：最新

最大漏源电流：20A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.27Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

‌20N50系列‌是专为高压、高功率应用设计的N沟道MOSFET产品线，凭借‌超低导通损耗、宽耐压范围、快速响应特性‌，成为工业电源、新能源系统和智能设备的核心功率开关器件‌。

‌高压大电流性能‌

‌漏源电压（VDS）‌覆盖500V至650V‌，支持高压逆变器、太阳能发电系统等严苛场景；

‌连续漏极电流（ID）‌达20A‌，满足大功率负载需求，适配工业电机驱动和电动汽车充电桩‌。

‌高效能技术升级‌

‌超低导通电阻‌：典型值0.21Ω-0.25Ω@VGS=10V‌，显著降低导通损耗，提升系统能效；

‌快速开关能力‌：低栅极电荷（典型值42nC-70nC）‌，优化高频电路性能，减少开关损耗。

‌工业级可靠性保障‌

‌增强型雪崩耐量‌：通过单脉冲雪崩能量测试（高达1500mJ）‌，确保极端工况下的稳定性；

‌宽温域适应性‌：支持-55℃至150℃工作温度‌，适配恶劣工业环境及户外设备‌。

应用场景

‌新能源系统‌：光伏逆变器能量转换、电动车充电桩功率控制‌；

‌工业电源‌：开关电源、UPS不间断电源及工业自动化设备供电模块‌；

‌交通电子‌：车载逆变器、汽车电池管理系统（BMS）及混合动力车驱动电路‌；

‌绿色照明‌：大功率LED驱动电源、金卤灯镇流器等高效率照明解决方案。