16N50-ASEMI电机驱动专用16N50

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16N50-ASEMI电机驱动专用16N50

型号：16N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：16A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.38Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

‌16N50 MOSFET凭借其‌500V耐压（VDSS）‌和‌16A连续电流（ID）‌能力，成为高压、大功率场景的标杆选择‌。其核心参数优势包括：

‌超低导通电阻（RDS(on)=0.32Ω@10V）‌：减少导通损耗，提升系统能效（典型效率>92%）‌；

‌快速开关性能（Qg=45nC）‌：缩短开关时间，降低高频应用中的动态损耗‌；

‌雪崩能量耐受（853mJ）‌：增强抗电压冲击能力，保障复杂工况下的可靠性‌。

‌二、应用场景：覆盖工业与新能源主流领域‌

‌高效开关电源（SMPS）‌

适配器、服务器电源中，16N50通过低损耗特性实现电能高效转换，温升降低15%‌；

搭配有源功率因数校正（PFC），优化电网谐波，提升电能质量‌。

‌新能源与储能系统‌

光伏逆变器、储能电源中，支持500V高压直流侧稳定输出，适配半桥拓扑设计‌；

快速切换能力优化MPPT算法效率，提升太阳能利用率‌。

‌工业与消费电子‌

电机驱动、电子镇流器中，耐受高频PWM控制与能量回收冲击‌；

高压LED驱动电路实现精准恒流控制，延长照明系统