ASE2N50-ASEMI工业电源专用ASE2N50

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ASE2N50-ASEMI工业电源专用ASE2N50

型号：ASE2N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：2A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：5.0Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

在工业双重驱动下，电力电子系统正面临更高电压、更大电流的严苛挑战。ASE2N50 MOS管凭借其强化型设计与智能保护特性，成为工业电源、新能源汽车及储能系统的核心元件，为工程师构建起“性能与安全双保险”。

作为N沟道高压MOSFET，ASE2N50在极端工况下展现超强耐受性：

‌700V超高耐压‌：较同类产品提升15%，轻松应对电网谐波与瞬态尖峰

‌连续导通电流10A‌：TO-220封装支持80W持续功率输出

‌超低RDS(on) 0.35Ω‌：导通损耗降低至行业标杆水平

‌-65℃~175℃军工级温域‌：沙漠光伏电站与极地科考设备首选

在5G基站电源实测中，ASE2N50在40kHz开关频率下效率达97.2%，较上一代方案温升降低18℃，设备寿命延长3年。

通过芯片级可靠性设计，ASE2N50实现从器件到系统的全面保护：

‌雪崩能量增强‌：单脉冲耐量达450mJ，抵御电机急停反电动势冲击

‌抗短路设计‌：10ms短路耐受时间，为保护电路争取关键响应窗口

‌栅极自适应‌：集成ESD防护（HBM 4kV），防止静电累积击穿

‌工业领域‌

变频器并联应用支持20kHz高频斩波

电焊机方案降低35%空载损耗

‌新能源领域‌

光伏优化器支持1500V系统电压

储能PCS模块峰值效率突破99%

‌消费电子‌

适配氮化镓快充，实现130W/cm³功率密度

空气炸锅等家电待机功耗＜0.5W