ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20

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ASE50N20-ASEMI无线充电专用ASE50N20

型号：ASE50N20

品牌：ASEMI

封装：TO-263

批号：最新

最大漏源电流：50A

漏源击穿电压：200V

RDS（ON）Max：51mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

ASE50N20 MOS场效应管采用‌N沟道设计‌，具备‌200V漏源击穿电压‌和‌50A连续漏极电流‌，可满足高功率场景下的稳定运行需求‌。其导通电阻（RDS(ON)）低至‌46mΩ@10V‌，显著

低导通损耗，提升系统能效‌。器件支持‌TO-263‌和‌TO-3P‌封装形式，适配主流工业电路设

产品优势与设计亮点

‌高效能转换‌：低导通电阻与快速开关特性（上升时间30ns，下降时间25ns）优化高频电路性能，减少能量损耗‌。

‌高可靠性‌：支持‌1200mJ雪崩耐量‌和‌-55~150℃宽温工作范围‌，适应严苛工业环境‌。

‌兼容性强‌：可代换同类MOS管（如CS50N20、KNH9120A），简化供应链管理‌。

典型应用场景

‌工业电力系统‌：用于大功率逆变器、电机驱动和储能电源，支持高电流稳定输出‌。

‌新能源设备‌：适配太阳能光伏逆变器、新能源汽车充电模块，助力绿色能源转换‌。

‌消费电子‌：应用于无线充电器、拉杆音箱等产品，提升能效与响应速度‌

凭借‌低损耗、高耐压、强兼容性‌等优势，ASE50N20 MOS场效应管持续为工业自动化、新能源及消费电子领域提供高效、稳定的功率管理支持‌。