ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20

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ASE30N20-ASEMI电机驱动专用ASE30N20

型号：ASE30N20

品牌：ASEMI

封装：TO-252

批号：最新

最大漏源电流：30A

漏源击穿电压：200V

RDS（ON）Max：62mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

ASE30N20 MOS管：高功率电子系统的“效能心脏”‌

在工业升级与能源变革的浪潮中，ASE‌30N20 MOS管‌凭借‌“高耐压、低损耗、快响应”‌三位一体的硬核性能，成为电力电子领域的“效能心脏”。无论是驱动智能工厂的精密设备，还是赋能新能源系统的绿色转型，它都以卓越表现重新定义功率器件的价值标杆。

‌一、性能突围：用参数说话，以效率破局‌

‌1. 高压大电流，扛住极限挑战‌

‌200V耐压+30A电流‌：轻松驾驭电动车充电桩的瞬时高压、工业变频器的持续大电流，稳定性比肩军工级标准。

‌20mΩ超低导通电阻‌：能量损耗降低40%‌1，高频开关电源、百瓦快充模块的“能效救星”。

‌2. 速度与安全的双重守护‌

‌5ns级开关响应‌：精准匹配伺服电机、逆变器的瞬时负载波动，拒绝拖影延迟。

‌雪崩能量耐受设计‌：突发浪涌电压下自保护，系统故障率降低60%‌2。

‌3. 极寒酷热，性能如一‌

‌-55℃~175℃全温域覆盖‌：从沙漠光伏电站到寒区车载电源，极端环境稳如磐石。