ASE18N20-ASEMI灯光控制专用ASE18N20
编辑:LL
为何选择MOS管?从基础到进阶的突破
MOS管作为现代电子设备的“开关”,承担着高效控制电流与电压的核心任务。与传统晶体管相比,MOS管具备导通电阻低、开关速度快、功耗小等优势,尤其在高频、高功率场景下表现更为突出。而ASE18N20 MOS管在此基础上更进一步,通过优化设计与材料工艺,实现了三大关键性能的跃升:
ASE18N20-ASEMI灯光控制专用ASE18N20
型号:ASE18N20
品牌:ASEMI
封装:TO-252
最大漏源电流:18A
漏源击穿电压:200V
批号:最新
RDS(ON)Max:190mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
封装尺寸:如图
特性:MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
高耐压与大电流承载能力
ASE18N20的命名直接体现了其核心参数:200V的漏源击穿电压(VDS)和18A的连续漏极电流(ID)。这意味着它能够轻松应对工业设备、电动车电机控制器等高功率场景中的电压波动与电流冲击,确保系统稳定运行。
超低导通电阻(RDS(on))
导通电阻低至20mΩ(典型值),显著降低了导通损耗。在频繁开关的应用中(如开关电源),这一特性可减少发热、提升能效,帮助设备实现更长的使用寿命。
快速开关与抗雪崩能力
优化的栅极电荷(Qg)设计让ASE18N20具备纳秒级开关速度,同时支持雪崩能量耐受,在突发高压或电流浪涌时仍能保持稳定,为系统安全保驾护航。
二、ASE18N20 MOS管的“用武之地”
“高效能与高可靠性”的组合,使ASE18N20 MOS管成为多领域应用的理想选择:
新能源汽车与电动工具
在电动车电机驱动、电池管理系统(BMS)中,ASE18N20能够高效控制大电流输出,同时耐受高温与震动环境,保障动力系统的稳定性。
工业自动化设备
伺服驱动器、变频器等高精度设备需要快速响应与低损耗的功率开关,ASE18N20的快速开关特性可显著提升设备能效比。
消费电子与快充技术
适配于手机快充、笔记本电脑电源模块等场景,其低导通电阻可减少能量浪费,助力实现“小体积、高功率”的充电方案。
可再生能源系统
在太阳能逆变器、风力发电控制器中,ASE18N20的高耐压特性可应对复杂电网环境,提升能源转换效率。
选择ASE18N20 MOS管,不仅是选择了一颗高性能的电子开关,更是选择了对可靠性与可持续未来的承诺。 让每一瓦电力都被高效利用,让每一次技术突破都有坚实支撑——这正是ASE18N20 MOS管赋予现代电力电子的核心价值。
如果您正在寻找高性价比的功率器件解决方案,ASE18N20 MOS管将是您的理想伙伴!欢迎联系我们的技术团队,获取样品测试与定制化支持。




浙公网安备 33010602011771号