30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管30N06

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30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管30N06

型号：30N06

品牌：ASEMI

封装：TO-252

批号：最新

最大漏源电流：30A

漏源击穿电压：60V

RDS（ON）Max：24mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的30N06 MOS管

  ASEMI品牌30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30N06的最大漏源电流30A，漏源击穿电压60V.

•细节体现差距

30N06，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

30N06具体参数为：最大漏源电流：30A，漏源击穿电压：60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252