10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管10N10

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10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管10N10

型号：10N10

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：100V

批号：最新

RDS（ON）Max：135mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

10N10场效应管

10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-6V，Id=2A

RDS（开）:135mΩ （最大值）@VG=-10V