50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06

编辑：ll

50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06

型号：50P06

品牌：ASEMI

封装：TO-252

批号：最新

最大漏源电流：-50A

漏源击穿电压：-60V

RDS（ON）Max：33mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：P沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的50P06 MOS管

  ASEMI品牌50P06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50P06的最大漏源电流-50A，漏源击穿电压-60V.

•细节体现差距

50P06，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

50P06具体参数为：最大漏源电流：-50A，漏源击穿电压：-60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252