40P04-ASEMI中低压P沟道MOS管40P04

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40P04-ASEMI中低压P沟道MOS管40P04

型号：40P04

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：-40A

漏源击穿电压：-40V

批号：最新

RDS（ON）Max：25mΩ

引脚数量：3

沟道类型：P沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：MOS管、P沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

40P04场效应管

40P04的电性参数：最大漏源电流-40A；漏源击穿电压-40V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-4.5V，Id=-15A

RDS（开）:25mΩ （最大值）@VG=-10V