65R330-ASEMI超洁MOS管65R330

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65R330-ASEMI超洁MOS管65R330

型号：65R330

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：13A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：330mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、超洁MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的65R330 MOS管

  ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

65R330，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

65R330具体参数为：最大漏源电流：13A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F