65R260-ASEMI超洁MOS管65R260

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65R260-ASEMI超洁MOS管65R260

型号：65R260

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：15A

漏源击穿电压：650V

批号：最新

RDS（ON）Max：262mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：超洁MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

65R260场效应管

65R260的电性参数：最大漏源电流15A；漏源击穿电压650V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-550V，Id=15A

RDS（开）:262mΩ （最大值）@VG=10V