ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180

编辑：ll

ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180

型号：ASE100N10

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：21A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：180mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管

漏电流：ua

特性：P沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的ASE65R180 MOS管

  ASEMI品牌ASE65R180是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE65R180的最大漏源电流21A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

ASE65R180，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE65R180具体参数为：最大漏源电流：21A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F