ASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03

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ASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03

型号：ASE200N03

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：160A

漏源击穿电压：30V

批号：最新

RDS（ON）Max：1.8mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~175℃

ASE200N03场效应管

ASE200N03的电性参数：最大漏源电流160A；漏源击穿电压30V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-30V，Id=160A

RDS（开）:1.8mΩ （最大值）@VG=10V