ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10

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ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOSASE80N10

型号:ASE80N10

品牌:ASEMI

封装:TO-252

批号:最新

最大漏源电流:80A

漏源击穿电压:100V

RDSONMax9.5mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55~150

备受欢迎的ASE80N10 MOS

  ASEMI品牌ASE80N10是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE80N10的最大漏源电流80A,漏源击穿电压100V.

•细节体现差距

ASE80N10,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

ASE80N10具体参数为:最大漏源电流:80A,漏源击穿电压:100V,反向恢复时间: ns,封装:TO-252

 

posted @ 2025-01-07 14:28  ASEMI首芯  阅读(5)  评论(0编辑  收藏  举报