ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06

编辑:ll

ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOSASE50N06

型号:ASE50N06

品牌:ASEMI

封装:TO-252

最大漏源电流:50A

漏源击穿电压:60V

批号:最新

RDSONMax15mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~175

ASE50N06场效应管

ASE50N06的电性参数:最大漏源电流50A;漏源击穿电压60V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-60V,Id=50A

RDS(开):15mΩ (最大值)@VG=10V

 

posted @ 2025-01-06 11:43  ASEMI首芯  阅读(4)  评论(0编辑  收藏  举报