ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03

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ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOSASE50N03

型号:ASE50N03

品牌:ASEMI

封装:TO-252

批号:最新

最大漏源电流:50A

漏源击穿电压:30V

RDSONMax5.8mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55~175

备受欢迎的ASE50N03 MOS

  ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE50N03的最大漏源电流50A,漏源击穿电压30V.

•细节体现差距

ASE50N03,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

ASE50N03具体参数为:最大漏源电流:50A,漏源击穿电压:30V,反向恢复时间: ns,封装:TO-252

 

posted @ 2025-01-04 15:48  ASEMI首芯  阅读(6)  评论(0编辑  收藏  举报