ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02

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ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOSASE40N02

型号:ASE40N02

品牌:ASEMI

封装:TO-252

最大漏源电流:40A

漏源击穿电压:20V

批号:最新

RDSONMax11.2mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~150

ASE40N02场效应管

ASE40N02的电性参数:最大漏源电流40A;漏源击穿电压20V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-4.5V,Id=15A

RDS(开):11.2mΩ (最大值)@VG=30V

 

posted @ 2025-01-04 10:33  ASEMI首芯  阅读(4)  评论(0编辑  收藏  举报