ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02
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ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02
型号:ASE40N02
品牌:ASEMI
封装:TO-252
最大漏源电流:40A
漏源击穿电压:20V
批号:最新
RDS(ON)Max:11.2mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
ASE40N02场效应管
ASE40N02的电性参数:最大漏源电流40A;漏源击穿电压20V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=-4.5V,Id=15A
RDS(开):11.2mΩ (最大值)@VG=30V