ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06

编辑:ll

ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOSASE30N06

型号:ASE30N06

品牌:ASEMI

封装:TO-252

批号:最新

最大漏源电流:30A

漏源击穿电压:60V

RDSONMax35mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55~175

备受欢迎的ASE30N06 MOS

  ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE30N06的最大漏源电流30A,漏源击穿电压60V.

•细节体现差距

ASE30N06,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

ASE30N06具体参数为:最大漏源电流:30A,漏源击穿电压:60V,反向恢复时间: ns,封装:TO-252

 

posted @ 2025-01-03 15:49  ASEMI首芯  阅读(6)  评论(0编辑  收藏  举报