ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10

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ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOSASE10N10

型号:ASE10N10

品牌:ASEMI

封装:TO-252

最大漏源电流:10A

漏源击穿电压:100V

批号:最新

RDSONMax130mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、N沟道MOS

工作结温-55℃~150

ASE10N10场效应管

ASE10N10的电性参数:最大漏源电流10A;漏源击穿电压100V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-10V,Id=5A

RDS(开):130mΩ (最大值)@VG=30V

 

posted @ 2025-01-03 14:40  ASEMI首芯  阅读(7)  评论(0编辑  收藏  举报