ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08

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ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08

型号：ASE180N08

品牌：ASEMI

批号：2024+

沟道：N沟道

导通内阻RDS（ON）Max：4.0mΩ

启动电压：2V-4V

最大漏源电流（Id）：180A

漏源击穿电压（VRM）：80V

正向电压：1.3V

特性：低压N沟道MOS管

引脚数量：3

封装：TO-247

工作温度:-55°C~175°C

类型：低压MOS管、N沟道

ASE180N08特性：

正向压降低，功率损耗低

隔离包装设计，非常适合散热；

优异的抗湿性；

良好的开关特性；

ASE180N08场效应二极管定义：

ASE180N08-ASEMI场效应管具有高输入阻抗、低导通电阻、开关速度快、功耗低、性能稳定等特点，并且具有极强的大电流处理能力。