随笔分类 - 高压MOS管
摘要:编辑:ll KBL406-ASEMI适配高端电源整流桥KBL406 型号:KBL406 品牌:ASEMI 封装:KBL-4 特性:整流桥 正向电流:4A 反向耐压:600V 恢复时间:>2000ns 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:84MIL 浪涌电流:120A 漏电流:>10ua 工作温度:
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摘要:编辑:ll MBR16200CT-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR16200CT 型号:MBR16200CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 特性:肖特基二极管 正向电流:16A 反向耐压:200V 恢复时间:5ns 引脚数量:3 芯片个数:2 芯片尺寸:102MIL 浪涌电流:200A
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摘要:编辑:ll ASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾赛斯车规级MOS管 型号:IXFK32N100P 品牌:IXYS/艾赛斯 封装:TO-264 最大漏源电流:32A 漏源击穿电压:1000V RDS(ON)Max:320mΩ 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟
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摘要:编辑:ll ASEMI代理IXTY02N50D-TRL艾赛斯车规级MOS管 型号:IXTY02N50D-TRL 品牌:ASEMI 封装:TO-252 最大漏源电流:200mA 漏源击穿电压:500V RDS(ON)Max:0.099Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道
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摘要:编辑:ll IPW65R150CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:IPW65R150CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:72A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.135Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电
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摘要:编辑:ll IPW65R110CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:IPW65R110CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:99.6A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.099Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N
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摘要:编辑:ll IPW65R080CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:IPW65R080CFDA 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:137A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.072Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏
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摘要:编辑:ll NVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:NVHL040N65S3F 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:99.6A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏
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摘要:编辑:ll STW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:STW43NM60ND 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:35A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏
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摘要:编辑:ll STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STW78N65M5 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:69A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性:车规
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摘要:编辑:ll FGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:FGH40N60SMD 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:40A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管
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摘要:编辑:ll AIGW50N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:AIGW50N65H5 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:50A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管
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摘要:编辑:ll DS145-16A艾赛斯车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:DS145-16A 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:45A 漏源击穿电压:1600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特性
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摘要:编辑:ll STTH6010-Y意法半导体MOS管\原装现货ASEMI代理 型号:STTH6010-Y 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:1000V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:2 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS
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摘要:编辑:ll STTH30ST06-Y意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STTH30ST06-Y 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:30A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流
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摘要:编辑:ll STTH1506DPI意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STTH1506DPI 品牌:ASEMI 封装:TO-3P-2L 最大漏源电流:15A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 特
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摘要:编辑:ll ISL9R3060G2英飞凌MOS管、原装现货ASEMI代理 型号:ISL9R3060G2 品牌:ASEMI 封装:TO-247-2L 最大漏源电流:30A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 特性:车规级MOS管 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管
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摘要:编辑:ll STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理 型号:STTH15RQ06-Y 品牌:ASEMI 封装:TO-220-2L 最大漏源电流:15A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:2 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电
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摘要:编辑:ll SF1004-MHCHXM(海矽美)快恢复二极管SF1004 型号:SF1004 品牌:MHCHXM(海矽美) 封装:TO-220AB 正向电流:10A 反向耐压:400V 恢复时间:35ns 引脚数量:3 芯片个数: 特性:快恢复二极管 漏电流:10ua 工作温度:-55℃~150℃
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摘要:编辑:ll 100N10-ASEMI中低压MOS管100N10 型号:100N10 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:100A 漏源击穿电压:100V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材
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