74HC595芯片资料
74HC595
芯片资料
8
位串行输入
/
输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。三态。
特点
8
位串行输入
8
位串行或并行输出
存储状态寄存器,三种状态
输出寄存器可以直接清除
100MHz
的移位频率
输出能力
并行输出,总线驱动
串行输出;标准
中等规模集成电路
应用
串行到并行的数据转换
Remote control holding register.
描述
595
是告诉的硅结构的
CMOS
器件,
兼容低电压
TTL
电路,遵守
JEDEC
标准。
595
是具有
8
位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在
SCHcp
的上升沿输入,在
STcp
的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入(
Ds
),和一个串行输出(
Q7’
)
,
和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行
8
位的,具备三态的总线输出,当使能
OE
时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据
|
符号
|
参数
|
条件
|
TYP |
单位
|
||
|
HC |
HCt |
|||||
|
tPHL/tPLH |
传输延时
SHcp
到
Q7’
STcp
到
Qn
MR
到
Q7’ |
CL=15pF
Vcc=5V
|
16
17
14 |
21
20
19 |
Ns
Ns
Ns
|
|
|
fmax |
STcp
到
SHcp
最大时钟速度
|
|
100
57 |
MHz |
||
|
CL |
输入电容
|
Notes 1 |
3.5 3.5 |
pF |
||
|
CPD |
Power dissipation capacitance per package. |
Notes2 |
115 130 |
pF |
||
CPD
决定动态的能耗,
PD
=
CPD
×
VCC
×
f1+
∑
(CL
×
VCC2
×
f0)
F1
=输入频率,
CL
=输出电容
f0
=输出频率(
MHz
)
Vcc=
电源电压
引脚说明
|
符号
|
引脚
|
描述
|
|
Q0…Q7 |
15
,
1
,
7 |
并行数据输出
|
|
GND |
8 |
地
|
|
Q7’ |
9 |
串行数据输出
|
|
MR |
10 |
主复位(低电平)
|
|
SHCP |
11 |
移位寄存器时钟输入
|
|
STCP |
12 |
存储寄存器时钟输入
|
OE |
13 |
输出有效(低电平)
|
|
DS |
14 |
串行数据输入
|
|
VCC |
16 |
电源
|
功能表
|
输入
|
输出
|
功能
|
|||||
|
SHCP |
STCP |
OE |
MR |
DS |
Q7’ |
Qn |
|
|
×
|
×
|
L |
↓
|
×
|
L |
NC |
MR
为低电平时紧紧影响移位寄存器
|
|
×
|
↑
|
L |
L |
×
|
L |
L |
空移位寄存器到输出寄存器
|
|
×
|
×
|
H |
L |
×
|
L |
Z |
清空移位寄存器,并行输出为高阻状态
|
|
↑
|
×
|
L |
H |
H |
Q6’ |
NC |
逻辑高电平移入移位寄存器状态
0
,包含所有的移位寄存器状态移入,例如,以前的状态
6
(内部
Q6”
)出现在串行输出位。
|
|
×
|
↑
|
L |
H |
×
|
NC |
Qn’ |
移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输出
|
|
↑
|
↑
|
L |
H |
×
|
Q6’ |
Qn’ |
移位寄存器内容移入,先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并输出。
|
H
=高电平状态
L
=低电平状态
↑=上升沿
↓=下降沿
Z
=高阻
NC
=无变化
×=无效
当MR为高电平,OE为低电平时,数据在SHCP上升沿进入移位寄存器,在STCP上升沿输出到并行端口。

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