（转）LDO压差（dropout voltage）解析

       LDO的压差dropout voltage指器件输入/输出之间的压差。在LDO稳压器中，导通管是一个PNP管。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降：Vdrop ＝ Vsat。 满载的跌落压降一般小于500mV。轻载时的压降只有10到20mV。

       目前比较先进的LDO稳压器使用 P-FET 作为导通管。在PNP LDO 中要驱动 PNP 功率管就需要基极电流。基极电流由地脚流出并反馈回输入电压的负端。因此，这些基极驱动电流并未用来驱动负载。它在LDO稳压器中消耗的功率由下式计算：PWR（BaseDrive）＝Vin×Ibase；驱动PNP管所需的基极电流等于负载电流除以β值（PNP管的增益）：Ibase = Io / β。在一些PNP LDO中此β值一般为15-20（与负载电流相关）。由此基极驱动电流产生的功耗可不是我们期望的（尤其是在电池供电应用中）。使用P-FET可以解决这个问题，因为它的栅极驱动电流极低。

       P-FET LDO另一个优点是通过调整FET的导通阻抗可以将稳压器的跌落电压作的很小。对于集成的稳压器而言，在单位面积上制造的FET的导通阻抗会比PNP三极管的导通阻抗低。这就可以在更小封装下产生更大的电流。