专题3-NandFlash变硬盘

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘
2.分类
（1）MLC：存储单元格存储两位，慢，偏移，寿命短，容量大
（2）SLC：存储一位。快，寿命长，容量小，昂贵
3访问；
（1）独立编址，有专用的控制器，控制器里有相应的寄存器，先送地址，然后命令，最后数据
（2）地址组成：行地址（页编号），列地址（在页中的偏移），一个nand可以有很多块，每一块可以很多页，每一页的两个部分可以不同规格
（3）信号引脚：

4.初始化nand控制器，（搜索关键字operation）
（1）初始化NFCONF，配置三个重要的与HCLK有关的时间参数
（2）初始化NGCONT，一开始要disable chip select 以及使能控制器
（3）复位：选中nandflash，清除RB标志，发送0xff命令，等待RB信号，取消选中RB信号
5.按页读
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x00命令
（4）发送列地址，两次（但是由于是页读的方式，所以列地址，即页中的偏移量就是0）
（5）发送页编号，即行地址，分三次完成
（6）发送0x30命令
（7）等待RB信号变为ready
（8）读出数据，每次都取出数据寄存器的值，他会自动更新自己的值
（9）取消选中nandflash
6.修改之前的代码拷贝启动代码（之前只从iram复制到内存）
（1）时钟初始化有问题，错把UPLL当MPLL
（2）汇编和C语言的参数传递，不超过4个的时候，直接用r0--r3传递，且顺序和从函数的形参一致
（3）注意保存lr，否则连续两次跳转，会破坏lr，导致在执行完复制函数以后，不能返回到应执行的初始化后续代码部分
（4）注意在调用c函数之前进行栈的初始化
7.拷贝函数的三个参数，页的起始地址r0，（ulong，但是由于是页读方式，所以要去掉低11位，低11位是列地址，这里我们要去页编号，即行地址），内存起始地址r1（目标起始地址，uchar*），数据大小r3，每一页对应2048个字节（2K，视具体nandflash而言，每一个循环，大小减小2048）
8.一旦要去读取（等待）RB信号，之前就要对其进行清除；
一旦有选中操作，在结束之后要取消选中。
9.写入之前要擦除,参数是要擦除的页地址，擦除的是指定的页所在的块：
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x60命令
（4）发送页编号，即行地址，分三次完成
（5）发送0xD0命令
（6）等待RB信号变为ready
（7）发送命令0x70
（8）读取擦出结果
（9）取消选中nandflash
（10）返回擦除结果
10.按页写
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x80命令
（4）发送列地址，两次（但是由于是页读的方式，所以列地址，即页中的偏移量就是0）
（5）发送页编号，即行地址，分三次完成
（6）写入数据，用循环
（7）发送0x10命令
（8）等待RB信号变为ready
（9）发送命令0x70，
（10）读取写入结果，从数据寄存器读
（11）取消选中nandflash
（12）返回写入结果
11.代码实现
（1）寄存器宏定义


（2）子函数编写


（3）初始化函数


（4）按页读


（5）从nandflash复制数据到目标地址


（6）块擦除函数

（7）按页写函数


12.



注意：

这个一定是uchar*类型， 否则会产生数据截断现象