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2024年9月4日
POWERMOS ALYOUT matters needing attention
摘要: 管子处理 1、缩孔2排 考虑的是电流端口汇聚效应,以及管子两端的不均匀性 2、加宽metal1 增加过电流能力。 3、gate m1加宽到1um 减小栅极驱动压降 4、Plus外扩1um 类似WPE效应,增加管子的均匀度,一致性。 衬底 1、位置 TM=2的时候,衬底只能可以在S/D的一边,也可以在
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posted @ 2024-09-04 18:14 芯片小兵
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