POWERMOS ALYOUT matters needing attention

管子处理

1、缩孔2排

考虑的是电流端口汇聚效应，以及管子两端的不均匀性

2、加宽metal1

增加过电流能力。

3、gate m1加宽到1um

减小栅极驱动压降

4、Plus外扩1um

类似WPE效应，增加管子的均匀度，一致性。

衬底

1、位置

TM=2的时候，衬底只能可以在S/D的一边，也可以在gate的一边，一般不建议放在S/D的边，因为会把整体的管子切断，导致整体过电流的效果不好。最好在gate上下端加双排孔的衬底。

2、距离

衬底距离管子的距离需要小于30um，一般也就是说单个管子的width＜30um。

金属

金属排布方式

最好是叉指阶梯形，叉指的数量和位置，是规矩底部mos管的位置确定的，不能根据metal的形状位置确定叉指的均匀度。有可能2叉2，也有可能3叉2。从下向上判断。如果TM=3也要M2和TM3并排走，一方面并排可以增加过电流能力，一方面可以顺电流走势。

所有连接到大尺寸管子的金属线都应该适当加宽，绝不可以走最小
以及孔被金属包裹也不能用最小，可靠性的问题，

隔离：防止Latch up

act space tap ＜30um

PACT SPACE NACT >1Oum

MINMUM GTARD_RING WIDTH >1um-2um

HV POWERMOS SPACE LV POWERMOS >30

POWERMOS SPACE CORE 10-30um

用5um的ntap和5um的ptap分开做隔离两者之间的距离也要拉开5um，或者直接用20um的ptap做隔离。

POWERMOS SPACE ESD 10-20um

同上用PTAP与NTAP隔离，并且隔离环最好不要接serl ring，而是接到PAD上。（或者距离GNDpad比较近的serl ring上。）

powermos 双排孔衬底，双排孔TAP。隔离用！