存储器（4）动态RAM DRAM

动态RAM

利用电容存储0，1：有电荷为1，无电荷为0

 

 三管动态RAM：

读操作：

预充电信号使得T4开关导通，使得读数据线的信号为1，高电平，读选择线为高电平使得T2开关导通

• 假设Cg中无电荷（存储的为0，低电平），则T1开关不导通，读数据线上的数据始终是1，与原存信息相反
• 假设Cg中有电荷（存储的为1，高电平），则T1开关导通，由于T1接地，读数据线上的数据是0，与原存信息相反

 

写操作：

写选择线为高电平，激活T3，这个时候写数据线上的数据就会被传到到Cg里面（充电或放电），实现数据的写入，写入和输入信息相同。

 

 

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单管动态RAM

字线（选择线，相当于x或y译码选择线）为高电平，则T开关被激活，此时是否对该存储单元读写还需要看数据线是否导通

• 若Cs中存储的是1，则数据线上有电流；如果存储的是0，则没有电流.，以此完成读操作
• 写入时，若数据线为1，则相当于充电，数据线为0，则相当于放电，以此完成写操作

 

 

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动态RAM举例

三管动态RAM ：Intel 1103

 

原理和重合法基本差不多，即行地址译码器和列地址译码器同时选中的时候存储单元被导通。但是在行地址译码里，每一条地址线都分了读选择线和写选择线，并且添加了刷新放大器，避免电容漏电导致数据失效