关于gm

I=1/2μnCoxW/L(Vgs-Vt)^2
gm=μnCoxW/L(Vgs-Vt)
gm=2Id/Vod
gm=(2IdμnCox*W/L)^1/2
对于不同静态Id工作点，gm随着变化，这个比较并不公平，对于运放输入对管来说，其静态工作点被尾电流限制，因此
Id固定，想要获得大的gm，则需要更大的尺寸，但是调整尺寸会使得Vod减小，使得MOS进入亚阈值区，进入亚阈值区后
gm=Id/nVt，gm固定，且为最大值。

饱和区：gm正比于ID
线性区：gm受VDS影响