04 2021 档案
摘要:1、淀积概述 一般用来淀积化合物SiO2 Si3N4,金属也可以。 分为化学气相沉积(APCVD、LPCVD、PECVD、ALD)、物理气相沉积(蒸发evaporation、溅射sputtering) 对于薄膜,要求一般是:台阶特性、可填充高深宽比、厚度均匀、高纯度高密度、剂量易控制、结构好应力低、
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摘要:看了半天上周讲的刻蚀工艺,整理几个问题。 1、湿法刻蚀 湿法刻蚀比较早出现,利用液态的反应物来去掉特定的物质,一般是酸溶液,其实就是腐蚀掉一部分材料。 选择性可以很好,但是各向异性会比较差。成本低且简单,还可以很快(但控制性较弱)。 针对Si、二氧化硅、氮化硅、铝等会有不同的溶液来做。 2、湿法刻蚀
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