摘要： EEPROM 电可擦可编程只读存储器 1. 核心特点：按照字节进行擦除和写入 2. 工作原理：每个cell都有一个浮栅晶体管构成。通过量子隧穿效应，用电信号将电子注入或者移出浮栅。 3. 优点：可以单独修改任何一个字节，而不影响其他字节。 4. 缺点： 结构复杂：每个字节都需要独立的控制电路来实现精 阅读全文

摘要： SRAM 静态随机存取存储器 基本结构和工作原理： 核心单元：SRAM每个cell 由6 个晶体管 组成，形成一个双稳态触发器电路。 工作原理：这种电路结构由两个稳定的状态，分别代表逻辑“0”和逻辑“1”。只要保持通电，状态就会一直保持下去，不需要额外的操作。 读写过程：通过字线（Word line 阅读全文

摘要： TTL电平 引言 TTL是 Transistor-Transistor Logic（晶体管-晶体管逻辑）的缩写，是早期基于双极性晶体管（BJT）技术的逻辑家族。 电平特点 1. 电源电压：+5V 2. 电平标准： Voh：≥ 2.4V； Vol: ≤ 0.4V； Vih：≥ 2.0V； Vil: ≤ 阅读全文

摘要： 二进制解码器 3比特的二进制解码器可以由下图表示。每种组合方式对应着解码器的不同输出。 3-8解码器可以用三个非门和三个与门构成 解码器可以拼接起来组成更大的解码器，比如两个3-8解码器可以拼起来组成一个4-16解码器。 选通器和分配器。 选通器 一个8选1的选通器如下图所示。本质上，选通器是在多个 阅读全文

摘要： DRAM读写循环 以一个8 * 8 的二维阵列为例子，假设部分存储单元为1，部分为0，现在要读写其中某一个cell的值。 为了确定存储的位置，我们需要内存地址，为了传输内存地址，我们需要地址总线。8 * 8阵列一共有64个cell，我们需要6线地址总线，一共能表示64种二进制值。三根地址总线被一起送 阅读全文

摘要： DDR4简介 DRAM的存储原理 DRAM的基本存储单元：cell 一个cell由一个晶体管和一个电容（约为30pF）组成，电容存储了电量代表1，电容放空电量代表0，晶体管作为电容的充放电开关，以便实现1bit数据的读写，cell的结构如下图所示 ： 读的过程：首先打开MOS管，根据电容的充放电信息 阅读全文

摘要： 认识眼图 眼图（Eye Diagram）是用余辉方式累积叠加显示采集到的串行信号的比特位的结果，叠加后的图形形状看起来和眼睛很像，故名眼图。眼图的分析是数字系统信号完整性分析的关键之一。 眼图的形成 由于眼图是示波器用余辉方式将采集到的一系列串行信号的多个单位间隔（UI）的波形叠加形成的图形，因为很 阅读全文