集成电路光刻基础

0.光刻工艺目的

利用光刻胶在wafer表面做一层辅助图形，在刻蚀或离子注入工艺中为不需要刻蚀的区域起到保护作用。

1.光刻工艺主要流程

1.1 涂敷光刻胶

光刻胶（光阻）是一种感光物质，其作用是将 Pattern 从光罩上传递到Wafer上的一种介质，又分为正光阻和负光阻。

一般采用旋涂的方式将光刻胶覆盖到晶圆上，厚度和均匀性是最重要的两个参数。光阻厚度与 Wafer 的旋转速度有关，越快越薄，也与光阻粘稠度有关。

1.2 曝光

工艺中实际影响线宽的两大因素是焦距 Focus 和能量 Energy 。通常而言能量越大，CD线宽越小。

1.3 显影

使用化学试剂（显影液）洗掉部分无需保留的光刻胶，对于剩余部分光刻胶进行后烘可以得到质量较好的图形。

显影后测量检查是必不可少的，因为发现问题返工Remake的代价相对而言是比较小的。

可以使用 CD SEM（扫描式电子显微镜）测量CD线宽，它用电子束扫描晶片表面，有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同，采集反射电子成线，误差小于3nm。CD SEM的影像调节得准确与否对于量测结果影响较大，每天的影像调节是必不可少的。

1.4 后道工序

这一步可以做离子注入或刻蚀工艺。

1.5 去胶

 

2. 光刻工程师工作内容

设备工程师 Equipment Engineer 的主要职责：

• 机台定期到PM
• 机台故障的排除
• 配合工艺工程师解决工艺上的问题

工艺工程师 Process Engineer 的主要职责：

• 保持Photo工艺的稳定
• 开发新的产品的Photo工艺
• 配合PIE&制造部解决制造工艺中的问题