【模拟电子技术】24-波特图与晶体管的混合Π模型

【模拟电子技术】24-25波特图与晶体管的混合Π模型

现在需要对于一个单极的放大电路进行频率响应的分析，我们需要知道对应频率的极间电容和耦合电容，之前分析的H参数模型指的是中频段，因为低频段需要考虑耦合电容的影响，高频段考虑极间电容的影响。

为了得到高频的等效模型，我们需要关注晶体管的内部结构等效出的电容。

想要得到图（b），就必须先找到b‘点然后在结点间添加电容，电阻，得到物理模型，该模型过于复杂，我们考虑简化：利用单向等效，把Cu等效到两端，得到Cu'和Cu''

到现在已经会分析高频段时候的三极管模型了，我们可以利用这个Π模型通吃低中高全部频段。直流通路计算出rb’e，gm，再分析交流通路，H参数等效，利用ft计算出CΠ'（这里我思路不是很清晰，需要有时间再推导，即得到Π等效模型电路的各个参数问题）

中频段的时候，分析Π模型电路，计算出Ri

从而得到中频段电压增益（Mid-band Voltage Gain）Ausm

低频段时，耦合电容构成不可忽略，阻止低频信号。因此是高通电路，极间电容仍然是断路

得到高通电路的下限截止频率fL

低频段时，极间电容构成不可忽略，阻止高频信号。因此是低通电路，耦合电容仍然是短路，考虑极间电容。

单管共射放大电路的波特图可以得到，低频段与高频段都是20dB/十倍频，那么如果我们不想要下限截止频率，使用直接耦合电路，去掉耦合电容对低频段的影响即可。

假设低频段是40或者60dB/十倍频，那就是说明存在多个耦合电容，高频段有多dB倍，那就是多个管子了